El SS se define como:
```
$$ SS =\frac{d V_{gs}}{d \log I_{ds}} $$
```
dónde:
* $$V_{gs}$$ es el voltaje de puerta a fuente
* $$I_{ds}$$ es la corriente de drenaje a fuente
El SS normalmente se mide en milivoltios por década. Un SS más bajo indica un MOSFET más eficiente, ya que requiere menos oscilación de voltaje para cambiar la corriente de drenaje.
El SS se ve afectado por varios factores, entre ellos:
* El espesor del óxido de la puerta.
* El dopaje de las regiones fuente y drenaje.
* La longitud del canal
* La temperatura
El espesor del óxido de la puerta es el factor más importante que afecta al SS. Un óxido de puerta más delgado da como resultado un SS más bajo. Sin embargo, un óxido de compuerta más delgado también hace que el MOSFET sea más susceptible a averiarse.
El dopaje de las regiones fuente y drenaje también afecta al SS. Una mayor concentración de dopaje da como resultado un SS más bajo. Sin embargo, una mayor concentración de dopaje también aumenta la resistencia parásita del MOSFET, lo que puede degradar su rendimiento.
La longitud del canal es otro factor importante que afecta al SS. Una longitud de canal más corta da como resultado un SS más bajo. Sin embargo, una longitud de canal más corta también hace que el MOSFET sea más susceptible a los efectos de canal corto, lo que puede degradar su rendimiento.
La temperatura también afecta al SS. Una temperatura más alta da como resultado un SS más alto. Esto se debe a que la movilidad de los portadores de carga en el MOSFET disminuye a medida que aumenta la temperatura, lo que dificulta que el MOSFET cambie entre los estados encendido y apagado.
El SS es una importante figura de mérito para los MOSFET, ya que indica con qué eficiencia pueden cambiar entre los estados de encendido y apagado. Al optimizar el diseño del MOSFET, es posible lograr un SS bajo, lo que puede mejorar el rendimiento del MOSFET.